首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

厂家：
  Diodes Inc.
封装：
 SOT-563
数量：
 148845  
说明：
 MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
DMN63D8LV-7-SOT-563图片

DMN63D8LV-7 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：12 ns
上升时间：3.2 ns
功率耗散：450 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：0.87 nC
下降时间：6.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-563
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.2 Ohms
漏极连续电流：260 mA
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN63D8LV-7的详细信息，包括DMN63D8LV-7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPP80N06S208AKSA2
  • STU9N60M2
  • TSM150P03PQ33 RGG
  • STD9N60M2
  • SQJA20EP-T1_BE3
  • IRFR010PBF-BE3
  • TJ90S04M3L,LXHQ
  • RD3P175SNFRATL
  • SQJA20EP-T1_GE3
  • SIS184DN-T1-GE3

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC