DMN66D0LW-7

厂家:
  Diodes Inc.
封装:
 SC-70,SOT-323
数量:
 7902  
说明:
 MOSFET NMOS-SINGLE
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DMN66D0LW-7 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:33 ns
工厂包装数量:3000
功率耗散:200 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:SOT-323-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):6000 mOhms at 5 V
漏极连续电流:115 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是DMN66D0LW-7的详细信息,包括DMN66D0LW-7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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