DMN95H8D5HCTI

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: ITO-220AB
数量：: 1892
说明：: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：30W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：470 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.9 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7 欧姆 @ 1A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Tc）
漏源电压（Vdss）：950 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：管件
品牌：Diodes Incorporated

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