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中文参数如下:
功率耗散:0.98 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:8.9 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-26
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):31 mOhms
漏极连续电流:4.2 A
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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