DMG9926USD-13

厂家：: Diodes Inc.
封装：: 8-SO
数量：: 135432
说明：: MOSFET MOSFET,N-CHANNEL

一、本商品被浏览0次.

DMG9926USD-13 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：64.8 ns
上升时间：12.6 ns
功率耗散：1.3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：21.7 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8L
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：24 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是DMG9926USD-13的详细信息，包括DMG9926USD-13厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：