| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSM50GB120DLC | Infineon Technologies | 34MM | 5 | IGBT 模块 1200V 50A DUAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BSM50GB120DN2 | Infineon Technologies | Half Bridge1 | 45 | IGBT 模块 1200V 50A DUAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... | ||||||
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BSM50GB170DN2 | Infineon Technologies | Half Bridge1 | 10 | IGBT 模块 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... | ||||||
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BSM50GB60DLC | Infineon Technologies | 34MM | IGBT 模块 600V 50A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BSM50GD120DLC | Infineon Technologies | EconoPACK 2A | 2 | IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM50GD120DN2 | Infineon Technologies | EconoPACK 2A | 11 | IGBT 模块 1200V 50A FL BRIDGE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM50GD120DN2E3226 | Infineon Technologies | EconoPACK 2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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BSM50GD120DN2G | Infineon Technologies | 模块 | IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM50GD170DL | Infineon Technologies | Econo 3 | 2 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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BSM50GD60DLC | Infineon Technologies | EconoPACK 2A | 9 | IGBT 模块 600V 50A 3-PHASE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM50GD60DLCE3226 | Infineon Technologies | EconoPACK 2A | IGBT 模块 N-CH 600V 70A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.... | ||||||
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BSM50GD60DLC-E3226 | Infineon Technologies | EconoPACK 2A | IGBT 模块 600V 50A 3-PHASE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM50GP120 | Infineon Technologies | EconoPIM3 | 2 | IGBT 模块 1200V 50A PIM | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM50GP60 | Infineon Technologies | EconoPIM2 | 2 | IGBT 模块 600V 50A PIM | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM50GP60_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 600V 70A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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BSM50GP60G | Infineon Technologies | EconoPIM3 | IGBT 模块 600V 50A PIM | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM50GX120DN2 | Infineon Technologies | 10 | IGBT 模块 | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：3-Phase，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集... | ||||||
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BSM600GA120DLC | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 900A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：120... | ||||||
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BSM600GA120DLCS | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 900A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集电极—发... | ||||||
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BSM75GAL120DN2 | Infineon Technologies | Half Bridge GAL 1 | 52 | IGBT 模块 1200V 75A CHOPPER | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... | ||||||
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