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BSM50GX120DN2

厂家：: Infineon Technologies
封装：
数量：: 1756
说明：: IGBT 模块

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BSM50GX120DN2 PDF参数资料

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中文参数如下：

最小工作温度：- 55 C
栅极/发射极最大电压：20 V
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：400 W
栅极—射极漏泄电流：200 nA
在25 C的连续集电极电流：78 A
集电极—射极饱和电压：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：3-Phase
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSM50GX120DN2的详细信息，包括BSM50GX120DN2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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