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BSM75GAR120DN2

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 IS4 (34 mm )-5
数量：
 5342  
说明：
 IGBT 晶体管 1200V 100A GAR CH
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BSM75GAR120DN2 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：500
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
封装形式：IS4 (34 mm )-5
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：625 W
栅极—射极漏泄电流：400 nA
在25 C的连续集电极电流：100 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Infineon

以上是BSM75GAR120DN2的详细信息，包括BSM75GAR120DN2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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