首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 模块 > BSM50GP60G

BSM50GP60G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: EconoPIM3
数量：: 5958
说明：: IGBT 模块 600V 50A PIM

一、本商品被浏览0次.

BSM50GP60G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：500
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：EconoPIM3
最大工作温度：+ 125 C
功率耗散：250 W
栅极—射极漏泄电流：300 nA
在25 C的连续集电极电流：70 A
集电极—射极饱和电压：2.2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Hex
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

以上是BSM50GP60G的详细信息，包括BSM50GP60G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器