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BSM50GB170DN2

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 Half Bridge1
数量：
 5851  
说明：
 IGBT 模块 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE
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BSM50GB170DN2 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：500
安装风格：Screw
栅极/发射极最大电压：20 V
封装形式：Half Bridge1
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：500 W
栅极—射极漏泄电流：320 nA
在25 C的连续集电极电流：72 A
集电极—射极饱和电压：3.4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V
配置：Half Bridge Module
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

以上是BSM50GB170DN2的详细信息，包括BSM50GB170DN2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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