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BSM50GD120DN2E3226

厂家：: Infineon Technologies
封装：: EconoPACK 2
数量：: 2259
说明：: IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A

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BSM50GD120DN2E3226 PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：Screw
栅极/发射极最大电压：20 V
包装形式：Reel
封装形式：EconoPACK 2
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：350 W
栅极—射极漏泄电流：200 nA
在25 C的连续集电极电流：50 A
集电极—射极饱和电压：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Hex
产品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

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