BSM50GD120DN2G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 模块
数量:
 5886  
说明:
 IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE
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BSM50GD120DN2G PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:500
安装风格:Screw
栅极/发射极最大电压:20 V
封装形式:EconoPACK 3A
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:400 W
栅极—射极漏泄电流:200 nA
在25 C的连续集电极电流:78 A
集电极—射极饱和电压:2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Hex
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:否
产品种类:IGBT 模块
制造商:Infineon

以上是BSM50GD120DN2G的详细信息,包括BSM50GD120DN2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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