| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSM100GB120DN2K | Infineon Technologies | Half Bridge1 | IGBT 模块 1200V 100A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... | ||||||
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BSM100GB170DL | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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BSM100GB170DLC | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1700V 100A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BSM100GB170DN2 | Infineon Technologies | Half Bridge2 | IGBT 模块 1700V 100A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... | ||||||
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BSM100GB60DLC | Infineon Technologies | 34MM | 8 | IGBT 模块 600V 100A DUAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BSM100GD120DLC | Infineon Technologies | EconoPACK 3A | IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM100GD120DN2 | Infineon Technologies | EconoPACK 3A | 15 | IGBT 模块 1200V 100A FL BRIDGE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM100GD60DLC | Infineon Technologies | EconoPACK 3A | 3 | IGBT 模块 600V 100A 3-PHASE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM100GP60 | Infineon Technologies | EconoPIM3 | IGBT 模块 600V 100A PIM | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM100GT120DN2 | Infineon Technologies | EconoPACK 3A | IGBT 模块 1200V 100A TRIPACK | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM10GD120DN2 | Infineon Technologies | EconoPACK 2 | IGBT 模块 1200V 10A FL BRIDGE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM10GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | EconoPACK 2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：过渡期间，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电... | ||||||
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BSM10GP120 | Infineon Technologies | EconoPIM2 | 60 | IGBT 模块 1200V 10A PIM | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM10GP120_B9 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 10A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM10GP60 | Infineon Technologies | EconoPIM2 | 8 | IGBT 模块 600V 10A PIM | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM400GA120DN2S_E3256 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 2.5V 400A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM400GA170DL | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 800A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：170... | ||||||
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BSM400GA170DLC | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1700V 400A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，... | ||||||
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BSM400GA170DLS | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 800A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集电极—发... | ||||||
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BSM50GAL120DN2 | Infineon Technologies | Half Bridge GAL 1 | IGBT 模块 1200V 50A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... | ||||||
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