首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 模块 > BSM100GT120DN2

BSM100GT120DN2

厂家：: Infineon Technologies
封装：: EconoPACK 3A
数量：: 621
说明：: IGBT 模块 1200V 100A TRIPACK

一、本商品被浏览0次.

BSM100GT120DN2 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：10
安装风格：Screw
栅极/发射极最大电压：20 V
封装形式：EconoPACK 3A
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：680 W
栅极—射极漏泄电流：400 nA
在25 C的连续集电极电流：150 A
集电极—射极饱和电压：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Hex
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

以上是BSM100GT120DN2的详细信息，包括BSM100GT120DN2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器