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中文参数如下： 工厂包装数量：500 安装风格：Screw 最小工作温度：- 40 C 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V 封装形式：EconoPIM2 最大工作温度：+ 125 C 功率耗散：100 W 栅极—射极漏泄电流：300 nA 在25 C的连续集电极电流：20 A 集电极—射极饱和电压：2.4 V 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V 配置：Hex 产品：IGBT Silicon Modules RoHS：是 产品种类：IGBT 模块 制造商：Infineon
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