BSM10GD120DN2E3224

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中文参数如下：

安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
包装形式：Reel
封装形式：EconoPACK 2
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：80 W
栅极—射极漏泄电流：120 nA
在25 C的连续集电极电流：15 A
集电极—射极饱和电压：2.7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Hex
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：过渡期间
制造商：Infineon

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