BSM100GB120DN2K

厂家：: Infineon Technologies
封装：: Half Bridge1
数量：: 4698
说明：: IGBT 模块 1200V 100A DUAL

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BSM100GB120DN2K PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：500
安装风格：Screw
栅极/发射极最大电压：20 V
封装形式：Half Bridge1
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：700 W
栅极—射极漏泄电流：400 nA
在25 C的连续集电极电流：145 A
集电极—射极饱和电压：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Half Bridge Module
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

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