BSM400GA170DLC

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：500
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：62 mm
最大工作温度：+ 125 C
功率耗散：3.12 KW
栅极—射极漏泄电流：200 nA
在25 C的连续集电极电流：800 A
集电极—射极饱和电压：2.6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V
配置：Single Dual Emitter
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

以上是BSM400GA170DLC的详细信息，包括BSM400GA170DLC厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

最新产品：

PL130-09SC-R

DM0208HW2

E91F401VND122MB80U

AGFA006R16A2I3E

MAX9719CEUE+T

2KBP04-BP

501ACG-ADAG

ECX-L33CM-1000.000

SW5-020180RI2HF

T520D157M006AHE007