| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NGP15N41CLG | ON Semiconductor | TO-220 | IGBT 晶体管 15A 410V Ignition | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：440 V，集电极—射... | ||||||
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NGP8203N | ON Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 晶体管 IGBT TO220 400V 20A | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：440 V，栅极/发射... | ||||||
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NGTB15N120IHLWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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NGTB15N120LWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 1200V/15A IGBT LPT TO-247 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2.2 V，栅极/发射极最大电压：... | ||||||
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NGTB15N60EG | ON Semiconductor | TO-220AB | IGBT 晶体管 15A 600V IGBT | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.95 V，栅极/发射极最大电压：... | ||||||
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NGTB15N60S1EG | ON Semiconductor | TO-220AB | IGBT 晶体管 15A 600V IGBT | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.7 V，栅极/发射极最大电压：2... | ||||||
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NGTB20N120IHLWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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NGTB20N120IHSWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 1200/20A IGBT LPT TO-247 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，... | ||||||
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NGTB20N120LWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 1200V/20A IGBT FSI TO-247 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2.2 V，栅极/发射极最大电压：... | ||||||
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NGTB25N120IHLWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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NGTB25N120LWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 1200/25A IGBT LPT TO-247 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发射极最大电压：... | ||||||
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NGTG15N60S1EG | ON Semiconductor | TO-220AB | IGBT 晶体管 15A 600V IGBT | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.95 V，栅极/发射极最大电压：... | ||||||
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NGB8202ANT4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 20A 400V | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：440 V，栅极/发射极最大电压：15 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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NGB8202NT4 | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶体管 20A 400V Ignition | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，封装形式：TO-263-3，包装形式：Reel，安装风格：SMD/SMT，工... | ||||||
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NGB8202NT4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶体管 20A 400V Ignition N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：440 V，栅极/发射极最大电压：15 V... | ||||||
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NGB8204ANT4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：430 V，栅极/发射极最大电压：18 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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NGB8206ANSL3G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：390 V，栅极/发射极最大电压：15 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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NGB8206ANT4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：390 V，栅极/发射极最大电压：15 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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NGB8206ANTF4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：390 V，栅极/发射极最大电压：15 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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NGB8207ABNT4G | ON Semiconductor | D2PAK | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：365 V，栅极/发射极最大电压：15 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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