NGB8202ANT4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: D2PAK
数量：: 8478
说明：: IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 20A 400V

一、本商品被浏览0次.

NGB8202ANT4G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
最大工作温度：+ 175 C
功率耗散：150 W
栅极—射极漏泄电流：350 uA
在25 C的连续集电极电流：20 A
栅极/发射极最大电压：15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：440 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NGB8202ANT4G的详细信息，包括NGB8202ANT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：