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NGB8202ANT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 D2PAK
数量：
 8478  
说明：
 IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 20A 400V
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NGB8202ANT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
最大工作温度：+ 175 C
功率耗散：150 W
栅极—射极漏泄电流：350 uA
在25 C的连续集电极电流：20 A
栅极/发射极最大电压：15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：440 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NGB8202ANT4G的详细信息，包括NGB8202ANT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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