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中文参数如下:
工厂包装数量:800
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:TO-263-3
最大工作温度:+ 175 C
功率耗散:150 W
栅极—射极漏泄电流:350 uA
在25 C的连续集电极电流:20 A
栅极/发射极最大电压:15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:440 V
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:ON Semiconductor
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