NGB8206ANSL3G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 D2PAK
数量:
 8532  
说明:
 IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL
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NGB8206ANSL3G PDF参数资料

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中文参数如下:

安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Tube
封装形式:D2PAK
最大工作温度:+ 175 C
功率耗散:150 W
栅极—射极漏泄电流:350 uA
在25 C的连续集电极电流:20 A
栅极/发射极最大电压:15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:390 V
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NGB8206ANSL3G的详细信息,包括NGB8206ANSL3G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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