NGB8207BNT4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: D2PAK
数量：: 8640
说明：: IGBT 晶体管

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NGB8207BNT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
最大工作温度：+ 175 C
功率耗散：165 W
在25 C的连续集电极电流：20 A
栅极/发射极最大电压：15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：365 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

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