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NGTB20N120IHLWG

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-247-3
数量：
 243  
说明：
 IGBT 晶体管
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NGTB20N120IHLWG-TO-247-3图片

NGTB20N120IHLWG PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：Through Hole
封装形式：TO-247
功率耗散：250 W
在25 C的连续集电极电流：40 A
栅极/发射极最大电压：20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NGTB20N120IHLWG的详细信息，包括NGTB20N120IHLWG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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