NGTB15N60S1EG

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-220AB
数量：: 234
说明：: IGBT 晶体管 15A 600V IGBT

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NGTB15N60S1EG PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：Through Hole
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
功率耗散：47 W
栅极—射极漏泄电流：100 nA
在25 C的连续集电极电流：30 A
栅极/发射极最大电压：20 V
集电极—射极饱和电压：1.7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

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