NXP Semiconductors
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PHC2300 /T3 | NXP Semiconductors | SOT-96 | MOSFET TAPE-7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
|
PHC2300,118 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE-7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 300 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
SOT428.JPG)
|
PHD108NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
|
|
PHD110NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TRENCH<=30 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.9 mOhms，配置：... | ||||||
|
|
PHD101NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
|
PH3230S,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHD22NQ20T,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
PHD23NQ10T,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TRENCH-100 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：70 mOhms，配置：... | ||||||
|
|
PHD3055E,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：10.3 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
|
PHD20N06T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，包装形式：Reel - ... | ||||||
|
|
PHD20N06T,118 | NXP Semiconductors | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：18... | ||||||
|
|
PHD16N03T,118 | NXP Semiconductors | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：13.1 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
|
|
PHD16N03LT,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
|
PHB101NQ04T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CH TRENCH 40V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
PHB108NQ03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB108NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB110NQ06LT,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CH TRENCH 55V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：75... | ||||||
|
|
PHB110NQ08LT,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TRENCH-75 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
|
|
PHB110NQ08T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TRENCH-75 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB110NQ08T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCH-75 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
8/82 首页 上页 [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] 下页 尾页
