PHD108NQ03LT,118

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 4392  
说明:
 MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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PHD108NQ03LT,118 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:/T3 PHD108NQ03LT
典型关闭延迟时间:32 ns
工厂包装数量:2500
功率耗散:187000 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:SOT-428
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):6 mOhms
漏极连续电流:75 A
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP

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