首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > PHB110NQ06LT,118

PHB110NQ06LT,118

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 D2PAK
数量：
 3852  
说明：
 MOSFET N-CH TRENCH 55V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
PHB110NQ06LT,118-D2PAK图片

PHB110NQ06LT,118 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：/T3 PHB110NQ06LT
典型关闭延迟时间：131 ns
工厂包装数量：800
上升时间：123 ns
功率耗散：200 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：45 nC
下降时间：86 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7 mOhms
漏极连续电流：75 A
闸/源击穿电压：15 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHB110NQ06LT,118的详细信息，包括PHB110NQ06LT,118厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC