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PHD101NQ03LT,118

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：
 4383  
说明：
 MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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PHD101NQ03LT,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：/T3 PHD101NQ03LT
典型关闭延迟时间：37 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：166000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOT-428
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.5 mOhms
漏极连续电流：75 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHD101NQ03LT,118的详细信息，包括PHD101NQ03LT,118厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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