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PH3230S,115

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: LFPAK56，Power-SO8
数量：: 3357
说明：: MOSFET N-CH TRENCH 30V

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PH3230S,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：PH3230S T/R
典型关闭延迟时间：85 ns
工厂包装数量：1500
上升时间：37 ns
功率耗散：62.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：37 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-669
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0032 Ohms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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