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PHD23NQ10T,118

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: DPAK
数量：: 4464
说明：: MOSFET TRENCH-100

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PHD23NQ10T,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：100000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel - 13 in
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：70 mOhms
漏极连续电流：23 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：NXP

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