Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPP03N03LA | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-CH 25V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP03N03LB G | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-CH 30V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP040N06N | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET 60V TO-220 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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IPP040N06N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | 88 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 60V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP041N04N G | Infineon Technologies | TO-220 | 375 | MOSFET OptiMOS 3 Power TRANSITOR 40V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP041N12N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-channel POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻... | ||||||
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IPP042N03L G | Infineon Technologies | TO-220 | 343 | MOSFET N-CH 30V 70A 4.2mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP045N10N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | 385 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP048N04N G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 495 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：70 A，... | ||||||
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IPP048N06L G | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-CH 60V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP048N12N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 1205 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻... | ||||||
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IPP04CN10N G | Infineon Technologies | TO-220 | 683 | MOSFET N-CH 100V 100A 3.9mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP04CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻... | ||||||
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IPP04CNE8N G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-CH 85V 100A 3.9mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP04N03LA | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-CH25V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP04N03LB G | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP050N06N G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-CH 60V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP052N06L3 G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP052NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 338 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极... | ||||||
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IPP054NE8N G | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A... | ||||||
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