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IPP041N12N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-220-3
数量：
 5490  
说明：
 MOSFET N-channel POWER MOS
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中文参数如下：

零件号别名：IPP041N12N3GXK IPP041N12N3GXKSA1 SP000652746
典型关闭延迟时间：70 ns
工厂包装数量：500
上升时间：52 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：158 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：165 S, 83 S
下降时间：21 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.8 mOhms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：120 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPP041N12N3 G的详细信息，包括IPP041N12N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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