Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPD50N06S4-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD50N06S409ATMA1 IPD50N06S409ATMA2 SP000374... | ||||||
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IPD50N06S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD50N06S4L08ATMA1 IPD50N06S4L08ATMA2 SP0003... | ||||||
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IPD50N06S4L-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD50N06S4L12ATMA1 IPD50N06S4L12ATMA2 SP0004... | ||||||
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IPD50N10S3L-16 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD50P03P4L-11 | Infineon Technologies | TO-252 | 4715 | MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：- 16 V, 5... | ||||||
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IPD50P04P4-13 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | 2430 | MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 50 A，... | ||||||
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IPD50P04P4L-11 | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel -40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD50P04P4L11ATMA1 IPD50P04P4L11XT SP0006711... | ||||||
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IPD50R280CE | Infineon Technologies | TO-252 | 349 | MOSFET 500V 280 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
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IPD50R399CP | Infineon Technologies | PG-TO252-3-11 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.399 Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD50R500CE | Infineon Technologies | TO-252 | 472 | MOSFET 500V 500 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7.6 A，电阻... | ||||||
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IPD50R520CP | Infineon Technologies | PG-TO252-3-11 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 500V 0.520 Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD50R950CE | Infineon Technologies | TO-252 | 495 | MOSFET 500V 950 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：4.3 A，电阻... | ||||||
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IPD530N15N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 1294 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD5N25S3-430 | Infineon Technologies | MOSFET Infineon MOSFETs | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD5N25S3430ATMA1 IPD5N25S3430XT SP000876584... | ||||||
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IPD600N25N3 G | Infineon Technologies | TO-252-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
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IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET N-CH 650V 3.2A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：3.2 A，电阻... | ||||||
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IPD60R2K0C6 | Infineon Technologies | TO-252 | 902 | MOSFET N-CH 650V 2.4A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：2.4 A，电阻... | ||||||
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IPD60R380C6 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：10.6 A，电... | ||||||
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IPD60R385CP | Infineon Technologies | TO-252 | 577 | MOSFET N-CH 600 V 9 A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD60R3K3C6 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET N-CH 650V 1.7A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：1.7 A，电阻... | ||||||
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