IPD50P04P4-13

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO252-3
数量：: 10512
说明：: MOSFET

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IPD50P04P4-13 PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413XT SP000840204
典型关闭延迟时间：22 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：58 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：39 nC
下降时间：28 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-TO252-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.2 mW
漏极连续电流：- 50 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：- 40 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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