IPD50R950CE

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-252
数量:
 9342  
说明:
 MOSFET 500V 950 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET
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IPD50R950CE PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPD50R950CEBTMA1
商标名:CoolMOS
功率耗散:34 W
栅极电荷 Qg:10.5 nC
封装形式:TO-252
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):950 mOhms
漏极连续电流:4.3 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPD50R950CE的详细信息,包括IPD50R950CE厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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