IPD530N15N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252
数量：: 5002
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPD530N15N3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPD530N15N3GBTMA1 IPD530N15N3GXT SP000521720
典型关闭延迟时间：13 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：9 ns
功率耗散：68 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.053 Ohms
漏极连续电流：21 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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