IPD60R2K0C6

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-252
数量:
 4646  
说明:
 MOSFET N-CH 650V 2.4A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPD60R2K0C6-TO-252图片

IPD60R2K0C6 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:IPD60R2K0C6BTMA1 IPD60R2K0C6XT SP000799132
功率耗散:22.3 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.8 Ohms
漏极连续电流:2.4 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:650 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPD60R2K0C6的详细信息,包括IPD60R2K0C6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC