IPD60R3K3C6

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO252-3
数量：: 3771
说明：: MOSFET N-CH 650V 1.7A

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IPD60R3K3C6 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPD60R3K3C6BTMA1 IPD60R3K3C6XT SP000799130
功率耗散：18.1 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.97 Ohms
漏极连续电流：1.7 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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