Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB60R600C6 | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1125 | MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7.3 ... | ||||||
|
IPB60R600CP | Infineon Technologies | TO-263 | 990 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB60R950C6 | Infineon Technologies | TO-263-3 | 786 | MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4.4 ... | ||||||
|
IPB64N25S3-20 | Infineon Technologies | MOSFET Infineon MOSFETs | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPB64N25S320ATMA1 IPB64N25S320XT SP000876596... | ||||||
|
IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPB65R099C6 IPB65R099C6XT，... | ||||||
|
|
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 650V 110 mOhm | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：31.2 A，电... | ||||||
|
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPB65R110CFDA IPB65R110CFDAXT，... | ||||||
|
|
IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPB65R150CFDA IPB65R150CFDAXT，... | ||||||
|
|
IPB65R190C6 | Infineon Technologies | TO-263-3 | 950 | MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20.2... | ||||||
|
IPB65R190CFD | Infineon Technologies | D2PAK | 940 | MOSFET CoolMOS 650V 190mOhm CFD2 N-Chan MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：17.5 A，电... | ||||||
|
|
IPB65R190CFDAATMA1 | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPB65R190CFDA IPB65R190CFDAXT，... | ||||||
|
|
IPB65R280C6 | Infineon Technologies | TO-263-3 | 830 | MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13.8... | ||||||
|
|
IPB65R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPB65R280E6XT，... | ||||||
|
|
IPB65R310CFD | Infineon Technologies | D2PAK | 971 | MOSFET CoolMOS 650V 310mOhm CFD2 N-Chan MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：11.4 A，电... | ||||||
|
|
IPB65R310CFDAATMA1 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPB65R310CFDA IPB65R310CFDAXT，... | ||||||
|
|
IPB65R380C6 | Infineon Technologies | TO-263-3 | 900 | MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10.6... | ||||||
|
|
IPB65R380E6 | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPB65R380E6XT，... | ||||||
|
|
IPB65R420CFD | Infineon Technologies | D2PAK | 1000 | MOSFET CoolMOS 650V 420mOhm CFD2 N-Chan MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：8.7 A，电阻... | ||||||
|
|
IPB65R600C6 | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1000 | MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7.3 ... | ||||||
|
|
IPB65R660CFD | Infineon Technologies | D2PAK | 2225 | MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极... | ||||||
57/305 首页 上页 [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] 下页 尾页
