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IPB65R660CFD

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 D2PAK
数量：
 9623  
说明：
 MOSFET
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IPB65R660CFD-D2PAK图片

IPB65R660CFD PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB65R660CFDATMA1 IPB65R660CFDXT SP000861698
上升时间：8 ns
功率耗散：63 W
栅极电荷 Qg：22 nC
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.66 Ohms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB65R660CFD的详细信息，包括IPB65R660CFD厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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