IPB65R190CFD

厂家：: Infineon Technologies
封装：: D2PAK
数量：: 8266
说明：: MOSFET CoolMOS 650V 190mOhm CFD2 N-Chan MOSFET

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中文参数如下：

零件号别名：IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDXT SP000905378
上升时间：8.4 ns
功率耗散：151 W
栅极电荷 Qg：68 nC
下降时间：6.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohms
漏极连续电流：17.5 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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