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IPB65R600C6

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263-3
数量：
 8389  
说明：
 MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor
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IPB65R600C6 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB65R600C6ATMA1 IPB65R600C6XT SP000794382
典型关闭延迟时间：80 nS
上升时间：9 nS
功率耗散：63 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：23 nC
下降时间：13 nS
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.6 Ohms at 10 V
漏极连续电流：7.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：700 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB65R600C6的详细信息，包括IPB65R600C6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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