首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPB65R380C6

IPB65R380C6

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263-3
数量：
 8262  
说明：
 MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPB65R380C6-TO-263-3图片

IPB65R380C6 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6XT SP000785084
典型关闭延迟时间：110 nS
上升时间：12 nS
功率耗散：83 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：39 nC
下降时间：11 nS
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.38 Ohms at 10 V
漏极连续电流：10.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：700 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB65R380C6的详细信息，包括IPB65R380C6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • SQJ407EP-T1_BE3
  • STD10NF30
  • SQJ407EP-T1_GE3
  • TPH2R506PL,L1Q
  • IPP120N06S4H1AKSA2
  • AOTF22N50
  • AOTF20N60
  • TPH4R50ANH1,LQ
  • 2SK3564(STA4,Q,M)
  • SIR616DP-T1-GE3

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC