IPB65R110CFD

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263
数量：: 7308
说明：: MOSFET N-Channel MOSFET 650V 110 mOhm

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中文参数如下：

零件号别名：IPB65R110CFDATMA1 IPB65R110CFDXT SP000896400
典型关闭延迟时间：68 ns
上升时间：11 ns
功率耗散：277.8 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：118 nC
下降时间：6 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：110 mOhms
漏极连续电流：31.2 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：700 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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