Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPB011N04L G | Infineon Technologies | TO-263 | 601 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB011N04N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB014N06N | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET 60V TO-263 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | PG-TO263-7 | 91 | MOSFET MV POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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IPB015N04L G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 120A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB015N04N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 120A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB016N06L3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr LOGIC LEVEL N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB017N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263-7 | 1695 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续... | ||||||
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IPB019N06L3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 983 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr LOGIC LEVEL N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB019N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB020N04N G | Infineon Technologies | TO-263 | 849 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 140A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB020NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1016 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：2.3 V，漏极连续电流：120 A，电阻... | ||||||
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IPB021N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 873 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续... | ||||||
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IPB022N04L G | Infineon Technologies | TO-263 | 26 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB023N04N G | Infineon Technologies | TO-263 | 938 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB023N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 1000 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB025N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 120A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB025N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 2228 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB025N10N3GE818XT | Infineon Technologies | PG-TO263-7 | MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极... | ||||||
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IPB027N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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