IPB014N06N

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-7
数量：: 3834
说明：: MOSFET 60V TO-263

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：47 ns
上升时间：18 ns
功率耗散：214 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：106 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：230 S / 120 S
下降时间：14 ns
封装形式：TO-263-7
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.4 mOhms
漏极连续电流：180 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

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