CEL

California Eastern Laboratories (CEL) is the exclusive sales and marketing partner in North America and Latin America for products made by the Compound Semiconductor Devices Business Division (CSDBD) of Renesas Electronics Corporation, formerly NEC Electronics Corporation. These products include RF components and RFICs, optocouplers, solid state relays, and lasers and detectors for fiber optics. CEL maintains extensive inventories, sets pricing, and provides engineering and applications support at its design center in Santa Clara, CA. CEL also develops its MeshConnect™ line of IEEE 802.15.4/ZigBee radio modules and transceiver ICs and is a member of the ZigBee Alliance (www.zigbee.org)

型号	品牌	封装	描述
NE3512S02-T1C-A	CEL	S02	射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
参数：CEL\|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带\|-\|停产\|GaAs HJ-FET\|-\|12GHz\|13.5dB\|2 V\|70mA\|0.3...
NE3512S02-T1D-A	CEL	S0-2	射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：13.5 dB，噪声系数：0.35 dB，正向跨导 g...
NE3514S02-A	CEL	S02	射频GaAs晶体管 K Band Super Low Noise Amp N-Ch
参数：CEL\|带\|-\|停产\|GaAs HJ-FET\|-\|20GHz\|10dB\|2 V\|70mA\|0.75dB\|10 mA\|-\|4 V\|-\|4-SMD，扁平引线\|S02...
NE3514S02-T1D-A	CEL	S0-2	射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：20 GHz，增益：10 dB，噪声系数：0.75 dB，正向跨导 gFS...
NE3515S02-A	CEL	S02	射频GaAs晶体管 X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
参数：CEL\|散装\|-\|停产\|GaAs HJ-FET\|-\|12GHz\|12.5dB\|2 V\|88mA\|0.3dB\|10 mA\|14dBm\|4 V\|-\|4-SMD，扁平...
NE3515S02-T1C-A	CEL	S02	射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic
参数：CEL\|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带\|-\|停产\|GaAs HJ-FET\|-\|12GHz\|12.5dB\|2 V\|88mA\|0.3...
NE3515S02-T1D-A	CEL	S02	射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic
参数：CEL\|卷带（TR）\|-\|停产\|GaAs HJ-FET\|-\|12GHz\|12.5dB\|2 V\|88mA\|0.3dB\|10 mA\|14dBm\|4 V\|-\|4-SM...
NE3517S03-A	CEL	S0-3	射频GaAs晶体管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ
参数：制造商：CEL，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪声系数：0.7 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值）：55 ...
NE3517S03-T1D-A	CEL	S0-3	射频GaAs晶体管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ
参数：制造商：CEL，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪声系数：0.7 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值）：55 ...
NE3210S01	CEL	SMD	射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
参数：CEL\|带\|-\|停产\|GaAs HJ-FET\|-\|12GHz\|13.5dB\|2 V\|15mA\|0.35dB\|10 mA\|-\|4 V\|-\|4-SMD\|SMD...
NE3210S01-T1B	CEL	SMD	射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
参数：CEL\|卷带（TR）\|-\|停产\|GaAs HJ-FET\|-\|12GHz\|13.5dB\|2 V\|15mA\|0.35dB\|10 mA\|-\|4 V\|-\|4-SMD\|S...
NE350184C	CEL	84C	射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
参数：CEL\|散装\|-\|停产\|GaAs HJ-FET\|-\|20GHz\|13.5dB\|2 V\|70mA\|0.7dB\|10 mA\|-\|4 V\|-\|微型-X 陶瓷 84C\|...
NE350184C-T1	CEL	Micro-X Ceramic (84 C)	射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪声系数：0.7 dB，正向跨导 gF...
NE350184C-T1A	CEL	Micro-X Ceramic (84 C)	射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪声系数：0.7 dB，正向跨导 gF...
NE3503M04-A	CEL	M04	射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
参数：CEL\|散装\|-\|Digi-Key 停止提供\|GaAs HJ-FET\|-\|12GHz\|12dB\|2 V\|70mA\|0.45dB\|10 mA\|-\|4 V\|-\|SO...
NE3503M04-T2-A	CEL	M04	射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
参数：CEL\|卷带（TR）\|-\|停产\|GaAs HJ-FET\|-\|12GHz\|12dB\|2 V\|70mA\|0.45dB\|10 mA\|-\|4 V\|-\|SOT-343F\|...
NE3508M04-A	CEL	F4TSMM，M04	射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
参数：CEL\|散装\|-\|停产\|GaAs HJ-FET\|-\|2GHz\|14dB\|2 V\|120mA\|0.45dB\|10 mA\|18dBm\|4 V\|-\|SOT-343F\|...
NE3508M04-EVNF23	CEL	FTSMM-4 (M04)	射频GaAs晶体管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt
参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：2 GHz，增益：14 dB，噪声系数：0.45 dB，正向跨导 gFS（...
NE71300	CEL	CHIP	射频GaAs晶体管 Ku-K Band MESFET OBSOLETE BY MFG
参数：制造商：CEL，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：9.5 dB，噪声系数：1.6 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值）：50...

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