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中文参数如下:
工厂包装数量:50
P1dB:14.5 dBm
封装形式:CHIP
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:400 mW
最大工作温度:+ 175 C
漏极连续电流:120 mA
闸/源击穿电压:- 5 V
漏源电压 VDS:5 V
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :50 mS
噪声系数:1.6 dB
增益:9.5 dB
频率:12 GHz
技术类型:MESFET
RoHS:否
制造商:CEL
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