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NE722S01-T1B

厂家：
  CEL
封装：
 SO-1
数量：
 4482  
说明：
 射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET
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NE722S01-T1B-SO-1图片

NE722S01-T1B PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：4000
包装形式：Reel
P1dB：15 dBm
封装形式：SO-1
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：250 mW
最大工作温度：+ 125 C
漏极连续电流：120 mA
闸/源击穿电压：- 5 V
漏源电压 VDS：5 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：45 mS
噪声系数：0.9 dB
增益：12 dB
频率：4 GHz
技术类型：MESFET
RoHS：是
制造商：CEL

以上是NE722S01-T1B的详细信息，包括NE722S01-T1B厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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